6. 甲状腺腫瘍診療ガイドライン(<特集>内分泌外科の現状と将来)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-11-01
著者
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科
-
吉田 明
豊橋技科大
-
吉田 明
福井大学第一内科
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
吉田 明
伊藤病院
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺・内分泌外科
関連論文
- 乳癌術前化学療法後のER, PgR, HER2の変化についての検討
- HP-128-1 甲状腺濾胞癌および乳頭癌骨転移例の特徴(甲状腺1,ハイブリッドポスター,第109回日本外科学会定期学術集会)
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- PS-176-1 甲状腺腫瘍における紡錘体形成チェックポイント遺伝子発現について
- OP-039-3 乳癌センチネルリンパ節生検におけるOSNA法の有用性の検討(乳癌センチネル-5,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- OP-241-1 早期乳癌に対する術後補助療法としてのTC療法の認容性(乳癌治療・他-8,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- SF-007-4 甲状腺濾胞癌におけるN-RAS変異の意義(第108回日本外科学会定期学術集会)
- 動注を中心とした集学的治療が有効であった甲状腺未分化癌の1例
- リスク分類よりみた乳頭癌手術例の治療成績 : AMES分類を使用した検討
- 当科におけるセンチネルリンパ節生検observation studyの検討
- Bioimpedance Techniqueを用いた乳がん術式別による上肢浮腫の評価
- 甲状腺未分化癌細胞におけるEpidermal Growth Factor Receptor(EGFR)チロジンキナーゼ阻害剤(ZD-1839)の細胞抑制効果について
- 乳癌術後補助療法
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- WS-5-5 「未分化癌コンソーシアム」設立の意義と現状について(難治性内分泌癌(甲状腺未分化癌,再発甲状腺分化癌,副腎癌,Neuroendocrine tumor)の治療戦略,ワークショップ(5),第110回日本外科学会定期学術集会)
- WS-5-4 「甲状腺未分化癌コンソーシアム」における未分化癌長期生存例の検討(難治性内分泌癌(甲状腺未分化癌,再発甲状腺分化癌,副腎癌,Neuroendocrine tumor)の治療戦略,ワークショップ(5),第110回日本外科学会定期学術集会)
- 甲状腺未分化癌細胞株におけるZD1839(Iressa)の増殖抑制効果 : in vitroおよびin vivoの検討
- 日本における乳頭癌初期治療の現状と改善点
- 乳癌予後因子としての胸骨傍リンパ節転移
- 乳癌予後因子としてのbcl-2蛋白発現 : p53蛋白発現との比較
- 乳癌再発後の予後に関連する因子と再発後生存期間の予測
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- PP-250 乳房部分切除後の組織欠損に対する遊離脂肪移植
- PP90 乳癌におけるMLHIと予後の関連について
- P-785 時期別にみた乳癌手術治療成績
- P-762 乳房部分切除後の組織欠損に対する遊離脂肪移植の検討
- 乳癌におけるbcl-2およびerbB_2蛋白発現と抗エストロゲン剤治療
- 甲状腺癌 (特集 必読 セカンドオピニオン) -- (乳腺・内分泌・体表)
- 序 : 特集に寄せて
- 甲状腺疾患領域
- 甲状腺癌の再発診療に関する最新のデータ (特集 癌診療に役立つ最新データ 2007-2008)
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 甲状腺未分化癌症例の細胞学的検討 : 第35回日本臨床細胞学会秋期大会 : 甲状腺III
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2CdSダイオードの作製
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
- マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
- 窒化基板上へのInNエピタキシャル成長
- 日本の「甲状腺腫瘍診療ガイドライン」--使命,開発,未来像 (特集 甲状腺腫瘍の診療ガイドライン)
- カリキュラム : 甲状腺
- A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
- Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
- NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
- 甲状腺腫瘍の治療 甲状腺腫瘍の組織型別治療方針 甲状腺濾胞癌 (内分泌腺腫瘍--基礎・臨床研究のアップデート) -- (甲状腺腫瘍)
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- アモルファス太陽電池用材料の光劣化現象
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマCVDによる低温Siエピタキシャル成長
- リモートプラズマCVDによるSi薄膜の低温成長
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- WS-6-5 甲状腺未分化における新たな試み(WS6 ワークショップ(6)甲状腺悪性腫瘍に対する新しい治療戦略,第111回日本外科学会定期学術集会)
- 組織別治療方針 : 濾胞性腫瘍
- 長期生存例の生存因子解析
- 6. 甲状腺未分化癌長期生存例の解析(内分泌外科稀少疾患の日本の現状把握と診療指針の作成)
- 6. 甲状腺腫瘍診療ガイドライン(内分泌外科の現状と将来)
- SY-12-KL 進行甲状腺癌に対する集学的アプローチ(SY-12 シンポジウム(12)進行甲状腺癌に対する集学的アプローチ,第112回日本外科学会定期学術集会)