エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長

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概要

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• Si基板上への高品質GaN成長層実現のため、Si基板上にエピタキシャル成長させたγ-Al_2O_3層を中間層として用いてGaN成長を行った。基板としては、Si(001)およびSi(111)を用い、層厚約1約10nmのγ-Al_2O_3エピタキシャル成長層を形成した後に、常圧・横型の有機金属気相エピタキシャル成長法を用いてGaNの成長を行った。Si(111)基板を用いた場合には、シングルドメインのGaN層が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-05-17

著者

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 川村 延伸

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 大石 浩司

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

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