微小Siプローブとの一体化に向けたSi(111)CMOS信号検出回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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我々は以前より、信号処理回路とVLS成長法によって作製するマルチアレイSiプローブを1チップ上で一体化した、スマート神経電位センサを提案している。しかし、SiプローブはSi(111)にしか垂直に成長しない為、界面準位が多数存在しているSi(111)基板上に信号処理回路を製作しなければならない。そこで、Si(111)用神経電位センサ用回路の設計をし、さらに特性劣化の低減やしきい値電圧制御の為のSi(111)用プロセス条件の最適化、および回路製作をおこなった。測定の結果、プロセス条件の最適化によってSi(111)CMOS回路が神経電位の記録をおこなうのに十分な動作をすることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-04
著者
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
加藤 陶子
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学
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