混成ソースAl-N_2O MBE法によるSi基板上への薄膜γ-Al_2O_3成長
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概要
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Al固体ソースとN_2Oガスソースとを組み合わせた混成ソースAl-N_2O MBE法によりSi基板上へのγ-Al_2O_3成長にはじめて成功した。γ-Al_2O_3膿は750℃以上で単結晶成長可能で数10Åの薄膜でも平坦で結晶性の良い膜が得られた。成長温度が高くなるにしたがって膜の結晶性は向上したが、成長速度は減少した。XPS則定から、TMAガスを用いて成長したときに生じる炭素汚染は膜中やヘテロ界面にも検出されず、膜の組成はサファイヤと同様であった。Si基板とγ-Al_2O_3成長膜との結晶方位関係を調べたところ、Al_2O_3(111)の優勢成長が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
和戸 弘幸
豊橋技術科学大学
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
清水 但美
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
和戸 弘幸
豊橋技術科学大学工学部
-
清水 但美
豊橋技術科学大学工学部
-
大谷 健太朗
豊橋技術科学大学工学部
-
鄭 永哲
豊橋技術科学大学工学部
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