窒化基板上へのInNエピタキシャル成長
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概要
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InNは他のナイトライド系化合物半導体に比べてその基礎物性はあまり明らかではなく、エピタキシャル成長の報告例も少ないのが現状である。本研究では基板の窒化処理によるInNエピタキシャル成長層の結晶性への影響について調べた。成長にはマイクロ波励起有機金属気相成長法を用いた。窒化処理を用いることによりサファイア基板上にInNエピタキシャル成長が実現でき、また窒化条件を最適化することにより成長層の結晶性および表面荒さが改善できることを確認した。また、XPS測定より窒化処理を施した基板表面に窒化層の形成を確認し、この窒化層が基板と成長膜の中間層として形成され結晶性の改善に寄与していると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
三木 修
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
嶋田 香志
豊橋技術科学大学
-
斎木 久雄
三陽電機製作所
-
山野 博文
豊橋技術科学大学
-
斎木 久雄
(株)三陽電機製作所
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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