II-VI族化合物半導体結晶成長の光励起過程に関する理論解析
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概要
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Zn系II-VI族化合物半導体MOVPEにおいて、可視光照射により成長速度か促進されることか知られている。その微視的メカニズムを調べるため、分子軌道法による理論解析を行った。基板表面にソースガス分子か吸着したとき、可視光照射時の電子状態を求め、非照射時と比較した。ジメチルセレンの場合光照射効果は小さいが、ジメチル亜鉛の場合は分解が促進され、実験事実を説明できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
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