真空紫外光による金属吸着及び薄膜成長初期過程に関する研究
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概要
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真空紫外光は、次世代半導体プロセスにおいて重要な微細加工や薄膜の低温成長に有効であると考えられ、その動向が注目されている。本研究では光励起による反応を理解するため、半導体基板上での有機金属の吸着、光照射による解離状態、金属薄膜作製における初期過程を検討した。光源にはアンジュレータ放射光、及びArFエキシマレーザを使用した。層状物質の一つである二硫化モリブデンまたはシリコン基板上に有機金属材料のジエチルジンクを吸着させ、その表面状態を分析した後、光を導入し、吸着分子の分解過程を走査型トンネル顕微鏡(STM)及びXPSを使って観察した。この結果、アンジュレータ光とエキシマレーザによりジンク薄膜の成長初期状態は大きく異なる結果を示し、この原因について考察を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
細川 修
豊橋技術科学大学
-
前田 幸治
豊橋技術科学大学
-
ガンジュ アシュトシュ
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
アシュトシュ ガンジュ
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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