格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
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概要
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β-FeSi_2のバンド構造を第1原理計算により理論的に検討した。バンド構造に与える格子歪の影響について、各々の結晶軸に対して検討を行なった。無歪の状態では、バンド構造は、価電子帯の頂部がY点、伝導体の底がΓ-Z間に存在する間接遷移であった。結晶のa軸の方向に引張り歪が加わった場合あるいは、c軸方向に圧縮歪が加わると、価電子帯の頂部がΓ-Z間に変化して、直接遷移に変化することがわかった。また、Si(100)に整合させた場合、b、c軸が圧縮、a軸が伸長するため直接遷移となることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
Wu Xiaoping
豊橋技術科学大学
-
土屋 健司
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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