Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits: OEIC)を実現するために、格子整合系n-Si/III-V-N LED層/p-Si基板構造を用いて、MOSFETおよびLEDを作製した。n-Si/III-V-N LED層/p-Si基板構造は分子線エビタキシー法により成長し、作製プロセスはMOSFETプロセスにLEDプロセスを組み込んだ。ゲート酸化膜形成時の温度上昇を利用し、III-V-N LED層の発光強度改善の熱処理、およびソース・ドレインにおけるイオン注入層のキャリアの活性化を同時に行った。pMOSFETのしきい値電圧は-3.1V、移動度は58cm^2/V・sであった。LEDの立ち上がり電圧は3.8Vで、690nm帯の発光を確認した。本報告において、OEICに不可欠な要素デバイスの作製に成功した。

• 2006-05-11

著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 文 秀榮

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 太田 成人

  豊橋技術科学大学

• 森崎 祐二

  豊橋技術科学大学

• 石地 正義

  豊橋技術科学大学

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

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