Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし,直接遷移型InGaPN/GaPN量子井戸(QW)構造をRF-MBE法により500℃で成長した.Band Anti-Crossingモデルを仮定してInGaPNのバンドギャップを求め,InGaPN/GaPN歪QW構造のバンドアラインメントを推定した.その結果1〜2%のN組成を有するInGaPN/GaPN QW構造において,価電子帯バンドオフセットは200〜300meV得られるが,伝導帯バンドオフセットははとんど得られないことが明らかになった.300meV以上の伝導帯バンドオフセットを得るためには,井戸層に4%以上のNを必要とすることを示した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 金 聖晩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

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