低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
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概要
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GaNは3.4 eVと広い禁制帯幅を持つため、単波長発光素子材料として近年注目され、青色発光素子として実用化に至っている。現在GaNの選択成長はマスクを用いたMOCVDやMBE法が主流であるが、今回我々はGa低エネルギー集束イオンビーム(Ga Low Energy Focused Ion Beam : Ga-LEFIB)技術を用い、微細領域でのGaN/GaAsマスクレス選択成長を行った。またこの技術は、FIB-MBEの真空一貫プロセスによるデバイス作製ができることや基板汚染の低減などの利点から、将来の重要な技術と考えられる。V族源として窒素の有機化合物であるジメチルヒドラジン(DMHy)、III族源としてGa-FIBを用いた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
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