局所的な明暗順応機能を有するエッジ検出機構の集積回路化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では、少ない素子数で構成でき、かつ、広いダイナミックレンジを有するエッジ検出機構の集積回路化を試みた。そのために、外網膜の水平細胞の機能に着目し、入力光強度の大きさに応じて局所的に水平細胞の受容野の大きさを変化させる機構を提案する。SPICEシミュレーション結果では、入力光強度が大きい(小さい)場合はエッジの位置は高い(低い)空間分解能で検出できることを確認した。また、3.4桁のダイナミックレンジを持つ入力画像のエッジ検出が行えた。さらに、単位回路を1次元配列した試作チップにおいて、2.4桁異なる入力電流に対して、最大出力電流の強度差は5倍程度であった。これにより、局所的な明暗順応機構を有するエッジ検出が実現できる見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-15
著者
-
山田 仁
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
高崎 哲
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
宮下 貴重
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
大谷 真弘
奈良工業高等専門学校電気工学科
-
宮下 貴重
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
大谷 真弘
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
高崎 哲
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
山田 仁
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
西尾 公裕
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
米津 宏雄
農橋技術科学大学電気・電子工学系
-
西尾 公裕
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
米澤 宏雄
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
関連論文
- 生体の視覚情報処理機能に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出回路
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構の電子回路化(高機能イメージセンサ)
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近検出機構のアナログ集積回路化
- 高抵抗多結晶シリコンゲートを用いた局所適応機能を有するエッジ検出機構の集積回路化
- 相関型動き検出アナログ集積回路の設計・試作と特性評価
- 視覚対象の追従運動モデルとそのアナログ電子回路化
- 生体の構造に学んだサッカードモデルとその集積回路化
- 生体の動き検出機構に学んだ速度検出デバイス
- 生体の動き検出機構に学んだ速度場検出モデルとそのハードウェア化
- 動き検出ハードウェア : 生体の動き検出機構と速度場
- 特徴抽出機構を自己組織化するアナログ集積回路
- Lotka-Volterra型競合神経ネットワークの集積回路化
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 生物の視覚系に基づいた時空間コントラスト検出ネットワークの構築とそのオプティカルフロー検出への応用
- 生物に学んだ時空間コントラスト検出機構の二次元アナログネットワーク化(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 生物に学んだ時空間コントラスト検出機構の二次元アナログネットワーク化
- 無脊椎動物の視覚システムに学んだ時空間コントラスト検出機構のアナログ電子回路化
- 下等動物の視覚系に学んだ物体の特徴検出機構の電子回路化と動き検出ネットワークとの統合
- 局所的な速度適応機能をもつ動き検出ネットワークの電子回路化
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近検出機構のアナログ集積回路
- 昆虫の視覚系に学んだ物体の接近を検知する機能の集積回路化
- 動き検出神経細胞モデルのアナログ集積回路化 : 樹状突起による方向選択性の生成
- 網膜に範を得た速度検出とその電子回路化
- 局所的な明暗順応機能を有するエッジ検出機構の集積回路化
- 内網膜機能に学んだ動き情報の生成とその電子回路化
- 内網膜機能に学んだ動き情報の生成とその電子回路化
- 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
- 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
- 下等動物の視覚系に学んだ物体の接近検出および形状認識機能の集積回路化
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化(企画セッション : ニューロハードウェア)
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化
- Realization of Two-Dimensional Growth and Suppression of Threading Dislocation Generation in (InP)_1(GaAs)_n Quaternary Strained Short-Period Superlattices Grown on GaAs
- Reduction Mechanism of Threading Dislocation Density in GaAs Epilayer Grown on Si Substrate by High-Temperature Annealing
- ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
- (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
- MBE法による化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシ-の初期原子層成長過程と界面制御 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
- Operation of Monolithically-Integrated Digital Circuits with Light Emitting Diodes Fabricated in Lattice-Matched Si/III-V-N/Si Heterostructure
- 光・電子融合技術 : 光素子・回路とSi LSIのモノリシック集積に向けて
- Monolithic Integration of III-V Active Devices into Silicon Platform for Optoelectronic Integrated Circuits
- CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- 03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
- Analog Metal-Oxide-Silicon IC Implementation of Motion-Detection Network Based on a Biological Correlation Model
- Analog MOS Circuits for Motion Detection Based on Correlation Neural Networks
- An Analog Integrated Circuit for Motion Detection Based on Biological Correlation Model
- Reduction of Threading Dislocation Density in an (InAs)_1(GaAs)_1 Strained Short-Period Superlattice by Atomic Hydrogen Irradiation
- Fundamental Device and Circuits for Synaptic Connections in Self-Organizing Neural Networks (Reular Sections)
- An Optical Adaptive Device and Its Application to a Competitive Learning Circuit
- Observation of Threading Dislocation Generation Process in Highty Lattice-Mismatched Heteroepitaxy
- Strain Relaxation Process of (InAs)_m(GaAs)_n Strained Short-Period Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Increase of Critical Thickness and Optical Emission Range in (InAs)_1(GaAs)_n Strained Short-Period Superlattices
- Defect-Controlled Selective Epitaxial Growth of GaP on Si by Migration-Enhanced Epitaxy under Atomic Hydrogen Irradiation
- トポロジカルマッピング形成を行う電子回路の学習アルゴリズムと回路構成
- 適応デバイスと教師無し学習による自己組織化
- Defect-Controlled Selective Epitaxial Growth of GaP on Si by Migration-Enhanced Epitaxy under Atomic Hydrogen Irradiation
- Reduction of Threadimg Dislocation Density and Suppression of Crack Formation in In_xGa_P(x〜0.5) Grown on Si(100) Using Strained Short-Period Superlattices
- Hardening Effect of GaP_N_x and GaAs_ N_x Alloys by Adding Nitrogen Atoms
- Control of N Content of GaPN Grown by Molecular Beam Epitaxy and Growth of GaPN Lattice Matched to Si(100) Substrate
- High-Quality GaAs_xP_/In_Ga_P Quantum Well Structure Grown on Si Substrate with a Very Few Threading Dislocations
- Analog Integrated Circuit for Motion Detection with Simple-Shape Recognition Based on Frog Vision System
- Analog Vision Chip for Motion Detection of an Approaching Object against a Moving Background Based on the Insect Visual System
- A Network of Analog Metal Oxide Semiconductor Circuits for Motion Detection with Local Adaptation to a Background Image
- 昆虫の視覚情報処理機構に学んだ動き検出機能のアナログ電子回路化
- Analog Integrated Circuit for Motion Detection against Moving Background Based on the Insect Visual System
- An Adaptive Silicon Retina Performing an Edge Extraction with a MOS-Type Spatial Wiring and Smart Pixel Circuits
- A Novel Optical Adaptive Neuro-Device Using a Split-Gate MOS Transistor
- A Novel Optical Adaptive Neuro-Device Using a Split-Gate MOS Transistor
- 歪短周期超格子層を用いたSi基板上のGaAs選択成長
- Lattice-Relaxation Process of(InAs)m(GaAs)n Strained Short-Period Superlattices Grown on GaAs
- Reduction of Point Defects and Formation of Abrupt Hetero-Interfaces in Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of GaAs and GaP under Atomic Hydrogen Irradiation
- Analog Integrated Circuit for Motion Detection of Approaching Object Based on the Insect Visual System
- Analog LSI Implementation of Biological Direction-Selective Neurons
- An Integrated Circuit for Two-Dimensional Edge-Detection with Local Adaptation Based on Retinal Networks
- Signal Formation of Image-Edge Motion Based on Biological Retinal Networks and Implementation into an Analog Metal-Oxide-Silicon Circuit
- A Two-Dimensional Network of Analog Circuits for Motion Detection Based on the Frog Visual System( Analog Circuit Techniques and Related Topics)
- Analog Integrated Circuit for Detection of an Approaching Object with Simple-Shape Recognition Based on Lower Animal Vision( Analog Circuit Techniques and Related Topics)