Control of N Content of GaPN Grown by Molecular Beam Epitaxy and Growth of GaPN Lattice Matched to Si(100) Substrate
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-02-15
著者
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Furukawa Yuzo
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
YONEZU Hiroo
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
FUJIMOTO YASUHIRO
Department of Transplantation and Immunology, Faculty of Medicine, Kyoto University
-
SAMONJI Katsuya
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
米澤 宏雄
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
Fujimoto Yasushi
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Ojima K
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)sumi
-
Yonezu Hiroo
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Shibao Kazuhiro
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Fujimoto Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)mats
-
MOMOSE Kenji
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technolog
-
OJIMA Kaoru
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
AIKI Kunio
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
Fujimoto Yasuhiro
Department Of Transplant Surgery Kyoto University Hospital
-
Momose K
Toshiba Corp. Yokohama Jpn
-
Ojima Kaoru
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)sumi
-
Aiki K
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)aich
-
Samonji Katsuya
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)mats
-
Fujimoto Yasuhiro
Department of Chemistry and Materials Science, Tokyo Institute of Technology
-
Furukawa Yuzo
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
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