Reduction of Point Defects and Formation of Abrupt Hetero-Interfaces in Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of GaAs and GaP under Atomic Hydrogen Irradiation

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1998-09-15

著者

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• YONEZU Hiroo

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• YOKOZEKI Mikihiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• OHSHIMA Naoki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Tsuji T

  Pioneer Corp. Saitama Jpn

• Yonezu Hiroo

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Aizawa Kazuya

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• TSUJI Takuto

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Ohshima Naoki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Ohshima N

  Nec Corp. Kanagawa Jpn

• Yokozeki Mikihiro

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

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