High-Quality GaAs_xP_<1-x>/In_<0.13>Ga_<0.87>P Quantum Well Structure Grown on Si Substrate with a Very Few Threading Dislocations

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1999-12-15

著者

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• YONEZU Hiroo

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• FUJIMOTO YASUHIRO

  Department of Transplantation and Immunology, Faculty of Medicine, Kyoto University

• SAMONJI Katsuya

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• OHSHIMA Naoki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Fujimoto Yasushi

  Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Yonezu Hiroo

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Shibao Kazuhiro

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Fujimoto Y

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)mats

• MOMOSE Kenji

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technolog

• IRINO Satoshi

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Fujimoto Yasuhiro

  Department Of Transplant Surgery Kyoto University Hospital

• Momose K

  Toshiba Corp. Yokohama Jpn

• Irino Satoshi

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present Addr

• Ohshima Naoki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Ohshima N

  Nec Corp. Kanagawa Jpn

• Samonji Katsuya

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present)mats

• Fujimoto Yasuhiro

  Department of Chemistry and Materials Science, Tokyo Institute of Technology

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