Reduction Mechanism of Threading Dislocation Density in GaAs Epilayer Grown on Si Substrate by High-Temperature Annealing

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1994-06-15

著者

• Takano Yasushi

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• Takagi Yuji

  Information And Communications Research Center

• Takagi Yuji

  Information And Communications Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Takagi Y

  Tokyo Inst. Technology Yokohama‐shi Jpn

• Pak K

  Toyohashi Univ. Technol. Aichi Jpn

• HACHIYA Yoshiaki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• PAK Kangsa

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• YONEZU Hiroo

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• TAKAGI Yasufumi

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Pak Kangsa

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Takagi Yoshihiro

  Institute For Molecular Science:(present Address) Himeji Technical University Faculty Of Science

• Takagi Yoshihiro

  Himeji Institute Of Technology Faculty Of Science

• Yonezu Hiroo

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Tagaki Yuji

  Information & Communications Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Hachiya Yoshiaki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology:(present Addr

• Takano Yoshinobu

  Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation

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