金属-誘電体混合膜による近接場光の発生と信号伝達(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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波長以下のスケールで高密度集積のできる光電子融合回路の要素部品として開発した近接場光発生器と検出器の作製法と特性について述べる.近接場光発生器はDFBまたはFP半導体レーザの光出射部に金属-誘電体混合膜を形成した構造とし,本混合膜表面に発生した近接場光を介して光強度変調信号が伝達できることを確認した.検出器は半導体表面に金属-誘電体混合膜を作製することによりショットキー接合を形成したフォトダイオード構造とし,混合膜表面への光照射による光電流の発生を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-16
著者
-
福田 光男
豊橋技術科学大学工学部
-
内海 淳志
豊橋技術科学大学 工学研究科
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遠山 誠
豊橋技術科学大学
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竹本 直弘
豊橋技術科学大学
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船戸 宏也
豊橋技術科学大学
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杉浦 遼平
豊橋技術科学大学
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小玉 豊久
豊橋技術科学大学
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山本 章太
豊橋技術科学大学
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内海 淳志
豊橋技術科学大学工学部
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福田 光男
豊橋技術科学大学
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