放射線による半導体デバイスへの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-03-10
著者
関連論文
- 21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)
- SiC半導体デバイスの進展と放射線
- 放射線による半導体デバイスへの影響
- 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)