大島 武 | 原研
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概要
関連著者
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大島 武
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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吉田 明
豊橋技科大
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伊藤 久義
原子力機構
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大島 武
原研高崎
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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吉田 明
豊橋技術科学大学
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吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
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磯谷 順一
筑波大図情メディア
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中西 康夫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中西 康夫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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神田 久生
無機材研
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神田 久生
物材機構
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森田 洋右
原研高崎
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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岡田 浩
豊橋技術科学大学
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磯谷 順一
図情大
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伊藤 久義
原研高崎研
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角谷 均
住友電工
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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神谷 富裕
原研高崎研
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神谷 富裕
原研高崎
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大嶋 武
原研高崎
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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伊藤 久義
原研高崎
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田中 礼三郎
岡大物理
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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森下 憲雄
原研高崎研
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大井 暁彦
産総研
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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磯谷 順一
筑波大知的セ
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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本川 和之
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中野 逸夫
岡大物理
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木下 明将
産総研
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田中 徹
豊橋技術科学大学 工学部
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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本川 和之
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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荻津 透
KEK
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岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
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岩見 基弘
岡山大自然
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木下 明将
岡山大学理学部
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木下 明将
岡山大学 理
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岩見 基弘
岡山大学 理
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中本 建志
高エネルギー加速器研究機構J-PARCセンター 低温セクション
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吉川 正人
日本原子力研究所
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中本 建志
KEK
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雨宮 尚之
京大
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
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佐藤 周一
住友電工
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池上 陽一
高エ研
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中野 逸夫
岡山大学
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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神谷 富裕
原研
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雨宮 尚之
横浜国大・工
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野澤 秀彰
筑波大知的セ
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梅田 享英
筑波大知的セ
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磯谷 順一
図書館情報大
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森田 陽右
原研高崎
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横山 拓郎
岡大物理
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
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池上 陽一
高工研
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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中野 逸夫
岡山大学大学院 自然科学研究科
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田中 礼三郎
岡山大学大学院 自然科学研究科
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小林 健一
岡山大学
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大井 暁彦
日本原子力研究所
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福島 靖孝
高エ研
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笠井 智
横浜国大・工
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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梅田 享英
筑波大
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中野 逸夫
岡山大自然
著作論文
- 28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
- 31a-ZA-1 高エネルギー炭素イオン照射したダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 8a-S-7 高温・高エネルギー燐イオン照射ダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 高エネルギー燐イオン打ち込みダイヤモンドの電子スピン共鳴
- 3a-M-6 高エネルギー燐イオンを照射した合成ダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴
- 27p-N-13 燐イオンを照射した合成ダイアモンド結晶の電子スピン共鳴
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 電子線照射がBi-2223テープ線材の臨界電流に与える影響
- 炭化ケイ素を用いた高性能半導体素子の開発を目指して (特集 新たな技術の発掘を目指して(1)材料分野)
- イオン注入による炭化ケイ素のデバイス応用--注入技術と評価 (特集 炭化ケイ素の動向)