伊藤 久義 | 日本原子力研究所・高崎
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概要
関連著者
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伊藤 久義
日本原子力研究所・高崎
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Kawasuso A.
東北大金研
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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伊藤 久義
原研高崎研
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長谷川 雅幸
東北大金研
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千葉 利信
東北大学金属材料研究所
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唐 政
東北大金研
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赤羽 隆史
無機材研
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千葉 利信
無機材研
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赤羽 隆史
Nims物質研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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赤羽 隆史
無機材質研究所
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石本 貴幸
原研先端研
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岡田 漱平
原研高崎
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河裾 厚男
原研高崎
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伊藤 久義
原研高崎
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石本 貴幸
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
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益野 真一
日本原子力研究所高崎研究所
-
須永 博美
日本原子力研究所高崎研究所
著作論文
- 高速短パルス陽電子ビーム形成装置のパルス化技術の改善 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 反射高速陽電子回折(RHEPD)技術の高度化と応用 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
- 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥