上殿 明良 | 筑波大学物理工学科
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概要
関連著者
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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上殿 明良
筑波大数理
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谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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大島 永康
産業技術総合研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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岩瀬 義倫
筑波大学物質
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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大島 永康
産総研
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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渡辺 匡人
NEC
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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鈴木 良一
筑波大学物質工学系
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森 和照
筑波大学物質工学系
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中居 克彦
新日本製鐡(株)先端技術研究所半導体基盤研究部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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鈴木 敬愛
東大生研
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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廣瀬 幸範
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
(株)ルネサステクノロジ
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本田 和仁
(株)ルネサステクノロジ
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廣瀬 幸範
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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本田 和仁
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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前川 和義
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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宮崎 博史
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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辻 幸一
大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻
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辻 幸一
アントワープ大学
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前川 和義
ルネサス テクノロジ
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河野 孝央
筑波大学アイソトープセンター
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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河野 孝央
アイソトープセンター
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荒木 暉
日本鉱業
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大島 永康
理化学研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
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辻 幸一
大阪市立大学大学院工学研究科
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渡邉 匡人
学習院大 理
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター (starc)
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江口 和弘
半導体理工学センター (starc)
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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吉丸 正樹
半導体理工学センター
著作論文
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出
- 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発