吉丸 正樹 | 半導体理工学センター(starc)
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概要
関連著者
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吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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陳 世昌
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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井上 信彦
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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大島 永康
産総研
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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大島 永康
産業技術総合研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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伊東 敏雄
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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三橋 敏郎
沖電気工業株式会社ATP生産本部
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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黒田 英明
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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黒田 英明
ソニー(株)
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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木城 耕一
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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竹広 忍
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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伊藤 康幸
ソニー(株)厚木第1テクノロジーセンター
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伊藤 康幸
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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足利 欣哉
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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庄子 光治
ソニー(株)中央研究所
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庄子 光治
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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大島 永康
理化学研究所
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守屋 博之
ソニー(株)
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
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一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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五十嵐 泰史
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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猪股 大介
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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長田 昌也
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
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御手洗 俊
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
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後醍院 弘典
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
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長浜 勉
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
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磯部 千春
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部
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後醍院 弘典
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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長浜 勉
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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田村 浩之
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センター
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守屋 博之
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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三橋 敏郎
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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御手洗 俊
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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長田 昌也
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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三橋 敏郎
沖電気工業
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター (starc)
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江口 和弘
半導体理工学センター (starc)
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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磯部 千春
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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吉丸 正樹
半導体理工学センター
著作論文
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- RFスパッタ法による(Ba, Sr)TiO_3薄膜の結晶性と電気特性
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- メガビットDRAM用高品質極薄シリコン窒化膜の形成技術 (VLSI特集)