金属電極上に堆積したTa2O5の膜特性
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概要
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シリコン酸化膜や窒化膜に比べて大きな比誘電率を持つTa2O5薄膜を金属電極上と窒化膜上に堆積し,その膜特性を調べた.Ta2O5は400℃でCVD法により成膜し,600〜800℃でRTOを施した.XRDの結果から,700℃以上のRTOによりTa2O5の結晶化が確認された.金属電極上では窒化膿上に比べてTa2O5の結晶性が良く,RTO温度の上昇とともにその結晶性は向上する.Pt上に成膜し,750℃でRTOしたTa2O5薄膜は0.9nmの酸化膜換算膜厚(Tox)を示す.同様に窒化膜上に成膜した場合では,Toxは3nm以上と大きい.Ta2O5の結晶性と比誘電率には相関があると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
著者
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陳 世昌
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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木城 耕一
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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井上 信彦
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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