ゾルゲル法によるPZT/PTO積層膜の形成

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概要

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ゾルゲル法によるPZT膜の形成において、PZT膜と下部電極の間にPTO薄膜を導入する積層膜を検討した。結晶性及び電気的特性について評価を行った結果、PTO薄膜を導入する事により、均一で微細なグレインが形成され、表面モホロジーが改善される事を見いだした。また、同時に、耐圧及び膜疲労特性が向上し、それぞれ、5V印加まで1μA, cm^2以下、少なくとも10^9回の分極反転に対して安定であるという結果になった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-10

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