RFスパッタ法による(Ba, Sr)TiO_3薄膜の結晶性と電気特性
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概要
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RFスパッタ法によりl40℃の低温でアモルファス(Ba, Sr)TiO_3(BST:チタン酸バリウムストロンチウム)膜を形成し、その後熱処理を施すことにより結晶成長させ、結晶性の変化とそれが電気特性(誘電特性、リーク電流特性)に与える影響を調べた。その結果、アモルファスBST膜は熱処理温度約500℃程度から急激な構造変化を伴ないながら結晶成長し始め、熱処理温度が増加するに従い結晶性は向上するが、膜の格子面間隔やストレスは一定であることが分かった。この様な膜において、結晶性と誘電率の関係を調べたところX線回折強度と比誘電率の間には比例関係があり、結晶性向上につれ誘電率も増加することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
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陳 世昌
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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竹広 忍
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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