HFヴェーパクリーニングを前処理として用いた極薄シリコン窒化膜の形成

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概要

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HFヴェーバクリーニングを前処理として用い自然酸化膜の無いシリコン及びポリシリコン上へのシリコン窒化膜の形成を試みた。酸化膜上では、シリコン窒化膜成膜初期においてシリコンリッチな遷移層が形成される。HFヴェーバクリーニングを用い自然酸化膜を完全に除去することで、遷移層のないシリコン窒化膜の形成が、シリコン及びポリシリコン上で可能となる。しかしこの場合、シリコン及びポリシリコン上のみに選択的に成長する。膜質的には良好な窒化膜を得られるものの、このような膜は、単純にDRAMのキャパシタに適用することはできない。我々は、この選択成長を防ぐために簡単な改良キャパシタ作製プロセスを提案する。HFクリーニングを前処理とするシリコン窒化膜の形成と改良キャパシタプロセスを同時に用いることにより、高い信頼性をもつシリコン窒化膜キャパシタの作製が可能となる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-05-28

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