TEOS-O_3 APCVD SiO_2の成膜機構検討

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概要

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TEOS-O_3 SiO_2の下地依存性について検討を行なった。下地依存性は、下地表面のTEOS反応生成物の吸着点の密度に関係しており、成膜初期においては、吸着点(Si-O-R)に低分子量のTEOS反応中間体が吸着し、吸着点がない場合には蒸気圧の低い高分子の反応中間体の吸着が起こり初期膜が形成される。更にこの膜を下地として成膜が進行するわけであるが、低オゾン濃度や基板温度が低い場合はTEOSの未反応基であるSi-O-Rが成膜表面に多く残留し、このSi-O-RにTEOS反応中間体が吸着するため初期の下地の影響を受けない。一方、高オゾン濃度で、基板温度が高い場合、下地に依存した吸着点にTEOS反応中間体が吸着して成膜が進行するため、下地依存性が現われる。また、この下地依存性は表面形状(表面荒れ等)にも関係があることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-25

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