PECVD SiOF膜の構造検討
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概要
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フッ素添加シリコン酸化膜(SiOF)の吸湿過程および脱離機構についてFT-IRおよびTDSを用いて検討した。SiOFでは、H_2Oと膜中Si-F結合の間で加水分解反応が起こり、Si-OHとHFを形成することがわかった。またP-SiNキャップを連続形成することで吸湿性を防止して、初期状態における膜構造および誘電率の評価を行った。初期状態ではSiOFにはSi-OHが存在しないこと、Si-F結合にいくつかの種類があることがわかった。また吸湿および加水分解反応のない状態で膜本来の誘電率の測定した結果、フッ素濃度14at%で比誘電率2.8を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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下川 公明
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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宇佐見 隆志
沖電気工業
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下川 公明
沖電気工業
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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宇佐見 隆志
沖電気工業超lsi研究開発センタ
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