RTA処理したスパッタPZTの薄膜化と不揮発特性

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概要

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350℃の低温でパイロクロア構造のPZTを形成し、その後600℃での急速熱処理を施す事によりペロブスカイト構造への結晶化を行い構造特性、及び電気的特性の評価を行った。その結果PZTの薄膜化の為には膜厚方向のPb組成の制御、特に成長初期に於ける制御が重要な要素であり、成長初期にPbが不足する場合には膜がポーラスになりリーク電流が急激に増加する。この制御の方法の1つとして基板表面を絶縁状態にする方法を用い、100nm膜厚の±2V動作で不揮発電荷重19μC, cm^2を得た。また、膜疲労特性に於いても少なくても10^12>回の分極反転に対して安定であり、その減少率は15%程度に留まっている。以上より、スパッタ法によりPZT薄膜を形成する場合には、膜厚方向のPb組成の精確な制御が必要不可欠であると言える。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-11-25

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