PECVD SiOF膜の構造検討(II)
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概要
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フッ素添加シリコン酸化膜(SiOF)の構造についてFT-IRを用いて検討し、シリコンとフッ素の結合状態について考察した。SiOF中のシリコンとフッ素の結合にはSi-F及びSi-F_2結合が存在し、後者がより水分と反応し、解離しやすいことがわかった。また、成膜時にHeを多量に添加し、吸湿性の改善効果について評価を行った。He添加によりSiOFは緻密な膜となり、水分と反応しやすいSi-F_2結合の形成も抑えられることがわかった。その効果により吸湿性は改善され、膜の比誘電率も安定になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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下川 公明
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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下川 公明
沖電気工業
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吉丸 正樹
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部
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小泉 賢
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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