佐々木 正義 | ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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概要
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佐々木 正義
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妹尾 克徳
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著作論文
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- SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- オフセット補償効果のある電流センスアンプを用いた0.35μm 9ns 16Mb CMOS SRAM