金村 龍一 | ソニー
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概要
関連著者
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金村 龍一
ソニー
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金村 龍一
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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東芝
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蜂谷 貴世
東芝セミコンダクターカンパニー
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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依田 孝
(株)東芝セミコンダクター社
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藤田 敬次
東芝
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伊藤 祥代
東芝
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松永 範昭
東芝
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猪原 正弘
東芝
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上條 浩幸
東芝
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中田 錬平
東芝
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矢野 博之
東芝
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早坂 伸夫
東芝
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門村 新吾
ソニー
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藤田 敬次
東芝セミコンダクターカンパニー
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伊藤 祥代
東芝セミコンダクターカンパニー
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田渕 清隆
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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上條 浩幸
東芝セミコンダクターカンパニー
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中田 錬平
東芝セミコンダクターカンパニー
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早坂 伸夫
東芝セミコンダクターカンパニー
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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矢野 博之
(株)東芝セミコンダクター社
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島山 努
ソニー(株)
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秋山 和隆
株式会社 東芝セミコンダクター社
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東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
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金村 龍一
ソニー(株)セミコンダクタソリューションネットワークカンパニーセミコンダクタテクノロジー開発部
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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門村 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
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松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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吉田 毅
九州大学医学部附属病院放射線科
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松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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土生 真理子
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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臼井 孝公
(株)東芝セミコンダクター社
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宮島 秀史
東芝
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渡邉 桂
東芝
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秋山 和隆
東芝
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東 和幸
東芝
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中村 直文
東芝
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梶田 明広
東芝
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本多 健二
東芝
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柴田 英毅
東芝
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依田 孝
東芝
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田渕 清隆
ソニー
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島山 努
ソニー
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榎本 容幸
ソニー
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長谷川 利昭
ソニー
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宮島 秀史
東芝セミコンダクターカンパニー
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渡邉 桂
東芝セミコンダクターカンパニー
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島山 努
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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秋山 和隆
東芝セミコンダクターカンパニー
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東 和幸
東芝セミコンダクターカンパニー
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中村 直文
東芝セミコンダクターカンパニー
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梶田 明広
東芝セミコンダクターカンパニー
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長谷川 利昭
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門村 新吾
ソニーセミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー
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柴田 英毅
東芝セミコンダクターカンパニー
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依田 孝
東芝セミコンダクターカンパニー
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岡本 裕
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc プロセス開発部
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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長島 直樹
ソニー(株)
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野口 達夫
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長谷川 利昭
ソニー厚木
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吉田 毅
広島大学先端物質科学研究科
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吉田 毅
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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本多 健二
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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神田 昌彦
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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石塚 竜嗣
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森内 真優美
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松原 義徳
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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橘高 秀吉
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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蜂谷 貴世
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉田 毅
産業医科大学泌尿器科学教室
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森山 一郎
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1lsi部門
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井上 肇
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
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鈴木 説男
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
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監物 秀憲
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
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土生 真理子
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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井上 肇
ソニー(株)sc Mosプロセス部門
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岡本 裕
ソニー(株)セミコンダクタソリューションネットワークカンパニーセミコンダクタテクノロジー開発部
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神田 昌彦
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
著作論文
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンタクト抵抗特性に与えるTiN/Tiスパッタ密着層形成法の影響