渡邉 桂 | (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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概要
関連著者
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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柴田 英毅
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ソニー(株)
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宮嶋 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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Necエレクトロニクス株式会社
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中尾 慎一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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渡邊 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
著作論文
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- 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)