渡邉 桂 | (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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概要
関連著者
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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林 裕美
(株)東芝セミコンダクター社
著作論文
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響(配線・実装技術と関連材料技術)