低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、EM信頼性改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題がある。配線抵抗の上昇はCu配線中への余剰Siの拡散によって起こるため、Tiバリアメタル(-BM)に注目した。Ti-BMはその一部がCu配線中に拡散するため、シリサイドキャップと組み合わせて適用することでSiをCu配線表面に引き止める効果が期待できる。その結果、配線抵抗の上昇を抑制したまま、EM信頼性はTa-BMでシリサイドキャップ無しの場合と比べて100倍になった。そのとき、EMの活性化エネルギー(E_a)は1.45eVとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-29
著者
-
中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
林 裕美
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
-
松永 範昭
東芝
-
坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
-
坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
-
林 裕美
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
中尾 慎一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
中尾 慎一
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
-
林 裕美
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
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