F_2 (Ar) プラズマ前処理を用いたTiN上への選択Wヴィアプラグ形成

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概要

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• 選択W-CVD法において、F_2とArの混合ガスを用いたプラズマ前処理を行うことにより、TiN上に低抵抗のヴィアプラグ形成を実現した。この前処理はTiN表面の組成をTiリッチなものに変化させ、W核発生を促進しているものと考えられる。ヴィア抵抗の低減は、WとTiNとの界面抵抗が従来と比較して大幅に減少したことによる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-23

著者

• 柴田 英毅

  (株)東芝セミコンダクター社

• 柴田 英毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 柴田 英毅

  (株)東芝 プロセス技術研究所

• 松永 範昭

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 梶田 明広

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 松永 範昭

  東芝

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部

• 福原 成太

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 大宅 克彦

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 益川 和之

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 大塚 賢一

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松永 範昭

  (株)東芝セミコンダクタ一社

• 松永 範昭

  (株)東芝 セミコンダクター社

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