Low-k層間絶縁膜技術の今後の展望とデバイス適用効果
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概要
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デバイス構造や膜厚を変えずに配線容量を低減化することができるLow-k層間絶縁膜技術は, デバイスの高性能化や低消費電力化の鍵を握る極めて重要なプロセス技術である. 既に実用化が始まっているSiOF膜 (k=3.3〜3.7) から, k=2〜3が狙える有機系絶縁材料, 物理限界ともいえるk=1を達成できる空中配線に至るまで将来に渡ってカバーすべき範囲は広い. 本稿では, それぞれのkの領域における最新の技術開発状況と今後の展望を述べると共に, これらLow-k膜をデバイスヘ適用した場合の性能向上効果について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-23
著者
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