45nmノード向け高信頼Cuデュアルダマシン配線のためのPVD/ALD/PVD積層バリアメタル構造
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概要
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45nm-nodeに向けた高性能Cu多層配線実現の為のバリアメタル構造に関して報告する。バリアメタルの薄膜化に欠かせないALD技術をLow-k絶縁膜材料とインテグレーションする際の問題点を示し、信頼性を確保するために必要なPVD膜との積層構造を提案する。各PVD膜の役割分離を行い、SMやEMなどの信頼性の高いCu配線を実現するための最適なバリアメタル構造について示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-24
著者
-
柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
東芝
-
東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
-
山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部
-
尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
-
坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
-
堅田 富夫
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
-
尾本 誠一
(株)東芝セミコンダクター社
-
坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
-
山口 人美
(株)東芝セミコンダクター社
-
東 和幸
(株)東芝セミコンダクター社
-
坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
-
松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
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