21705 LSI中空配線の機械構造設計(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
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概要
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Deformation of Copper (Cu) interconnects with various bind of gaps during thermal treatment such as annealing at 350℃ were investigated using the finite element analysis method. It is found that Cu interconnects with air gaps at infra-level is susceptible in terms of the thermal expansion. In addition, dummy Cu metals and its optimized arrangement at each Cu interconnect layers would be essential in order to avoid the deformation of Low-k dielectric at via layer in the large area without Cu interconnects.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2007-03-15
著者
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
臼井 孝公
(株)東芝セミコンダクター社
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平山 浩
(株)東芝
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神保 雅一
(株)東芝
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室伏 正
(株)東芝電力システム社原子力機器設計部
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平山 浩
(株)東芝電力システム社原子力機器設計部
-
神保 雅一
(株)東芝電力システム社原子力機器設計部
-
臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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