渡邉 桂 | (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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概要
関連著者
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
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渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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渡邉 桂
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社
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宇佐美 達矢
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中尾 慎一
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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臼井 孝公
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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坂田 敦子
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝セミコンダクタ一社
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松永 範昭
(株)東芝 セミコンダクター社
著作論文
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 45nm node向け塗布ポーラスlow-k膜の材料設計(配線・実装技術と関連材料技術)