オフセット補償効果のある電流センスアンプを用いた0.35μm 9ns 16Mb CMOS SRAM
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概要
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0.35μmCMOSプロセスの9ns16Mb CMOS SRAMを開発した。オフセット耐性のある低入力抵抗電流センスアップを用いて、CMOS SRAMで初めて電流モード完全ノンイコライズ・データパスを実現した。又、ビット線ワイヤードオア型並列テスト方式によりSRAMで初めてラインモードテストを実現し、ファンクションテスト時間を1, 64に短縮した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-27
著者
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妹尾 克徳
ソニー株式会社 メディアプロセシング研究所
-
佐々木 正義
ソニーセミコンダクタカンパニー
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妹尾 克徳
ソニー(株) 中央研究所
-
佐々木 正義
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
-
小林 和好
ソニー
-
武田 実
ソニー(株)ホームエレクトロニクスネットワークカンパニー・オプティカルシステム開発部門
-
佐々木 正義
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
-
Shu Lee-lean
ソニーマイクロエレクトロニクスデザインセンター
-
Knorpp Kurt
ソニーマイクロエレクトロニクスデザインセンター
-
手島 直樹
ソニー
-
木原 広己
ソニー
-
佐藤 浩
ソニー
-
宮司 文雄
ソニー
-
塘 洋一
ソニー
-
Chuang Patrick
ソニーマイクロエレクトロニクスデザインセンター
-
武田 実
ソニー
-
妹尾 克徳
ソニー
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