白石 賢二 | 筑波大学数理物質科学研究科
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概要
関連著者
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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渡部 平司
大阪大学
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白石 賢二
筑波大院数物
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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宮崎 誠一
広大院先端研
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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大毛利 健治
早稲田大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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杉田 義博
半導体先端テクノロジーズ
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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宮崎 誠一
広大
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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赤坂 泰志
Selete
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吉武 道子
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHANG K.-S.
National Institute for Standards and Technology
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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奈良 安雄
Selete
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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山田 廉一
東大理
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細井 卓治
大阪大学
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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押山 淳
東大物工
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白石 賢二
筑波大計科セ
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足立 哲也
物質・材料研究機構
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石川 大
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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吉武 道子
(独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
-
網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 廉一
日立製作所・中央研究所
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石川 恵子
物質・材料研究機構
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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ボ*** マウロ
筑波大学計算科学研究センター
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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神谷 克政
兵庫県立大学大学院生命理学研究科ピコバイオロジー研究所タンパク質機能理論研究部門
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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伊藤 智徳
三重大学大学院工学研究科
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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舘野 賢
筑波大
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ボ*** マウロ
兵庫県大生命
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舘野 賢
筑波大学計算科学研究センター物質生命科学研究部門
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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神谷 克政
兵庫県大生命
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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舘野 賢
筑波大学
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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吉武 道子
金属材料技術研究所
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吉武 道子
物質・材料研究機構
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吉武 道子
「応用物理」 編集委員会
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吉武 道子
科学技術庁金属材料技術研究所
-
門島 勝
ルネサステクノロジ
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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吉武 道子
物質材料研究機構 半導体材料研究センター
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
吉武 道子
金材技研
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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押山 淳
東京大学大学院工学系研究科
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Ahmet Parhat
物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
石田 猛
日立製作所・中央研究所
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
-
神谷 克政
筑波大学大学院数理物質科学研究科物理学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学大学院 工学研究科
-
大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)