中山 隆史 | 千葉大学
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概要
関連著者
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大理
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中山 隆史
干葉大理
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中山 隆史
千葉大・理・物理
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村山 美佐緒
千葉大学理学部物理学科
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中山 恒義
北大院工
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大・理
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小田 将人
和歌山大学
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村山 美佐緒
千葉大・理
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Nakayama Takashi
Department Of Biochemistry I Yokohama City University School Of Medicine
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松下 貢
中部大学工学部
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中山 隆史
千葉大 理
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Nakayama Takashi
Department Of Biopharmaceutics Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Osaka University:crest (co
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NAKAYAMA Tomoo
Department of Physics,Chuo University
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Matsushita Mitsugu
Department Of Physics
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YAKUBO Kousuke
Department of Applied Physics, Hokkaido University
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NAKAYAMA Takashi
Department of Microbiology, Kinki University School of Medicine
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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上村 洸
東大理物理
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Yakubo K
Hokkaido Univ. Sapporo
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Yakubo Kousuke
Department Of Physics University Of California
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Yakubo Kousuke
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Hokkaido University
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NAKAYAMA Tsuneyoshi
Department of Applied Physics, Hokkaido University
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Terao Takamichi
Department of Applied Physics, Hokkaido University
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Nakayama Tsuneyoshi
Department Of Applied Phusics Faculty Of Engineering Hokkaido University
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Terao Takamichi
Department Of Applied Physics Hokkaido University
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NAKAHARA Akio
Department of Physics,Chuo University
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Terao T
Department Of Applied Physics Hokkaido University
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村山 美佐緒
千葉大 理
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Nakahara A
Kyoto Univ. Kyoto
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Yakubo Kousuke
Department of Physics, University of California
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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名取 晃子
電通大電子
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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小田 将人
千葉大理
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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桜井 清吾
(株)計算力学研究センター
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白石 賢二
筑波大学
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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Suda Jun-ichiro
Department Of General Education Sasebo National College Of Technology
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桜井 清吾
千葉大学理学部物理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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名取 晃子
電通大
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村山 美佐緒
電通大
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村上 美佐緒
電通大
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小野 裕己
東大生研
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大村 和久
千葉大自然
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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名取 晃子
電気通信大学
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村山 美佐緒
千葉大理
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石川 真人
千葉大理
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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飯塚 秀行
千葉大学理学部
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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西沢 秀樹
千葉大理
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Suda Jun-ichiro
Department Of Genera Education Sasebo National College Of Technology
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大野 隆央
東大生研
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草部 浩一
阪大基礎工
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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大毛利 健治
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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AHMET P.
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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GREEN M.
National Institute for Standards and Technology
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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小田 将人
和歌山大学システム工学部
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上村 洸
東京理科大学総合研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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白石 賢二
筑波大院数物
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上村 洸
東理大理
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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武田 京三郎
早大理工
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武田 京三郎
早大先進理工
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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中塚 理
名古屋大学
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赤坂 泰志
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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中岡 高司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 源治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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太田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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上村 洸
東大・理
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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上村 洸
東京理科大学理学部応用物理
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小日向 恭祐
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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中山 隆史
千葉大院理学研究科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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板谷 哲
千葉大理
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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Green M.
National Institute Of Standards And Technology
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芝田 岳永
東理大理
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梅林 陽
千葉大学
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小田 将人
干葉大学理学部物理学科
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中山 隆史
干葉大学理学部物理学科
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小田 将人
千葉大学理学部物理
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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武井 祐樹
千葉大理学
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中山 隆史
千葉大理学
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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SHIRAISHI Kenji
NTT Basic Research Laboratories
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中山 隆史
千葉大学大学院自然科学研究科
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大野 剛史
電通大
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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KAWAI Maki
Surface Chemistry Laboratory
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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AHMET P.
Tokyo Institute of Technology
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小野 裕己
千葉大先進センター
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KAJITA Seiji
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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SAKURAI Shogo
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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OHMURA Kazuhisa
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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AOKI Namiko
Department of Physics, Faculty of Science, Chiba University
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佐野 和亮
千葉大・理
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Kajita Seiji
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University:surface Chemistry Lab. Riken (the Institut
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竹内 均
九大理
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Matsushita Mitsugu
Department Of Physics Chuo University
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小田 克矢
千葉大理
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中山 隆史
東大・理
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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青木 南海子
千葉大理
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Aoki Namiko
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
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Sakurai Shogo
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
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Ahmet P.
物質・材料研究機構
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Kawai Maki
Surface Chemistry Lab. Riken (the Institute Of Physics And Chemistry Research):department Of Advance
-
Murayama M
Univ. Electro‐communications Tokyo Jpn
-
Murayama Misao
Department Of Electronics Engineering The University Of Electro-communications
-
Ohmura Kazuhisa
Department Of Physics Faculty Of Science Chiba University
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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穴釜 剛
東京大学大学院理学系研究科
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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角嶋 邦之
東京工業大学
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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町田 義明
千葉大学理学研究料
-
菰田 英明
千葉大院自然
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岩井 洋
東京工業大学
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佐野 和亮
千葉大自然
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竹内 均
千葉大自然
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石川 真人
千葉大 埋
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中山 隆史
千葉大 埋
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財満 鎭明
名古屋大学
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飯塚 秀行
千葉大学大学院理学研究科
-
Horikawa Shin
Department Of Physics Chuo University
-
小日向 恭祐
千葉大学理学研究科
-
村山 美沙緒
千葉大理
-
飯塚 秀行
千葉大学理学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
-
中山 隆史
東京大学理学部物理学教室
著作論文
- 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13a-DE-1 短周期超格子(GaP)_n(AlP)_nの電子構造とその光学特性
- 25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 6a-E-3 秩序空孔化合物半導体の格子振動
- 28p-S-8 超周期構造を持つGa_2Se_3高温相の電子状態
- 秩序空孔(Orthorhombic, Monoclinic)Ga_2Se_3のボンド・電子状態・光学的性質
- 半導体表面におけるタンパク質の機能制御
- 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
- 2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)
- 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 金属/絶縁体界面の統一理論
- 金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
- 17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
- 28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
- 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
- 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
- 23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
- 反射率差分光による表面/界面の評価と制御--Si酸化・InAsぬれ層の最近のトピック
- 解説 反射率差分光は何を見ているのか?-表面・界面構造を理解するための実験と理論
- Electronic Structures and Etching Processes of Chlorinated Si(111) Surfaces
- Raman Spectra Calculation of Ordered-Vacancy Ga_2Se_3 Compounds; Origin of Anisotropy : Condensed Matter: Structure, etc.
- 光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
- 24pSB-5 層状構造化合物半導体In_2Se_3におけるラマンスペクトルの数値計算
- ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
- 22pT-14 Sio_2/Si界面の光学異方性
- Spin-Wave Dynamics of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
- Spectral Dimension of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
- Localization Exponents of Waves in Percolation Systems
- 超薄膜半導体超格子の電子構造 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
- 2p-KP-2 超格子の電子構造
- 28a-S-5 半導体表面からの光学応答スペクトル計算 II
- 3p-J-9 GaAs表面・界面の光学応答スペクトルの第一原理計算
- 31p-Y-7 半導体の2光子吸収スペクトルにおける異方性のエネルギー分散
- 30p-N-6 非線形光学感受率の設計
- 28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル
- 12p-DD-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算III
- 30p-N-16 ウルツァイト/ジンクブレンド界面のオフセットとその応用
- 30p-N-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算II
- 26a-ZE-9 非線形感受率X^の第一原理からの理論計算
- 29p-X-3 異結晶型半導体超格子の電子構造
- 27a-C-7 半導体超格子の電子状態に及ぼす界面の原子種・形状の効果
- ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 23aK-11 秩序空孔化合物半導体におけるラマンスペクトルの数値計算
- 27aW-6 GaAs(001)表面上のInAsぬれ層の電子構造
- 24pZ-11 ZnSe/GaAsヘテロバレント界面層の成長シミュレーション
- Influence of Collagen Macromolecular Arrangement on the Potassium Dichromate Spiral Crystal Growth
- 26p-PSA-57 高圧下におけるK_2CuF_4の電子構造の第一原理計算
- Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs(001) As- and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
- 6p-P-12 GaAs表面へのZnSeヘテロエピ成長のシミュレーション
- III-V/II-VI半導体界面の誘電応答異方性スペクトルの理論計算
- 29a-W-7 異方性媒質中のフォトニックバンド構造
- 29p-YM-5 フォトニックバンドにおける光学非線形媒質の効果
- 21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 29a-YQ-2 アルカリハライド超格子の電子構造と光学的性質
- Self-Organized Critical Density Waves of Granular Material Flowing through a Pipe
- Morphological Diversity in the Crystal Growth of Potassium Dichromate in Gelatin Gel
- Cluster-Cluster Aggregation of Calcium Carbonate Colloid Particles at the Air/Water Interface
- 半導体表面からの光学応答スペクトル計算
- 第一原理計算による半導体ヘテロ構造の物理性設計 -その現状と限界-
- 12p-DD-2 擬波動関数を用いた光学遷移行列要素
- Valence Band Offset and Electronic Structures of Zinc-Compound Strained Superlattices
- 29p-X-4 異種族半導体接合系の電子状態 III
- 28p-X-5 半導体歪超格子の電子状態
- 27a-C-8 異種族半導体接合系の電子状態II
- 24p-M-3 異種族半導体接合系の電子状態
- 1p-TB-8 超薄膜半導体超格子の電子状態と光学スペクトル
- 30a-Z-4 亜鉛化合物半導体歪超格子の電子構造とオフセット
- M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1988, xii+264p., 23.5×16 cm, 9,241円 (Springer Series in Solid-State Sciences, 75) [大学院向教科書, 専門書]
- 6a-A2-15 半導体界面の誘電的性質II
- 18.半導体超格子の電子構造(東京大学理学部物理学教室,修士論文題目・アブストラクト(1983年度))