24p-M-3 異種族半導体接合系の電子状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1991-03-11

著者

• 中山 隆史

  千葉大・理・物理

• 中山 隆史

  千葉大学

関連論文

• 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13a-DE-1 短周期超格子(GaP)_n(AlP)_nの電子構造とその光学特性
• 25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
• 6a-E-3 秩序空孔化合物半導体の格子振動
• 28p-S-8 超周期構造を持つGa_2Se_3高温相の電子状態
• 秩序空孔(Orthorhombic, Monoclinic)Ga_2Se_3のボンド・電子状態・光学的性質
• 半導体表面におけるタンパク質の機能制御
• 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
• 2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)
• 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 金属/絶縁体界面の統一理論
• 金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
• 17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
• 28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
• 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
• 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
• 23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
• 反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
• 反射率差分光による表面/界面の評価と制御--Si酸化・InAsぬれ層の最近のトピック
• 解説 反射率差分光は何を見ているのか?-表面・界面構造を理解するための実験と理論
• Electronic Structures and Etching Processes of Chlorinated Si(111) Surfaces
• Raman Spectra Calculation of Ordered-Vacancy Ga_2Se_3 Compounds; Origin of Anisotropy : Condensed Matter: Structure, etc.
• 光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
• 24pSB-5 層状構造化合物半導体In_2Se_3におけるラマンスペクトルの数値計算
• ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
• 22pT-14 Sio_2/Si界面の光学異方性
• Spin-Wave Dynamics of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
• Spectral Dimension of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
• Localization Exponents of Waves in Percolation Systems
• 超薄膜半導体超格子の電子構造 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
• 2p-KP-2 超格子の電子構造
• 28a-S-5 半導体表面からの光学応答スペクトル計算 II
• 3p-J-9 GaAs表面・界面の光学応答スペクトルの第一原理計算
• 31p-Y-7 半導体の2光子吸収スペクトルにおける異方性のエネルギー分散
• 30p-N-6 非線形光学感受率の設計
• 28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル
• 12p-DD-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算III
• 30p-N-16 ウルツァイト/ジンクブレンド界面のオフセットとその応用
• 30p-N-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算II
• 26a-ZE-9 非線形感受率X^の第一原理からの理論計算
• 29p-X-3 異結晶型半導体超格子の電子構造
• 27a-C-7 半導体超格子の電子状態に及ぼす界面の原子種・形状の効果
• ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 23aK-11 秩序空孔化合物半導体におけるラマンスペクトルの数値計算
• 27aW-6 GaAs(001)表面上のInAsぬれ層の電子構造
• 24pZ-11 ZnSe/GaAsヘテロバレント界面層の成長シミュレーション
• Influence of Collagen Macromolecular Arrangement on the Potassium Dichromate Spiral Crystal Growth
• 26p-PSA-57 高圧下におけるK_2CuF_4の電子構造の第一原理計算
• Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs(001) As- and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
• 6p-P-12 GaAs表面へのZnSeヘテロエピ成長のシミュレーション
• III-V/II-VI半導体界面の誘電応答異方性スペクトルの理論計算
• 29a-W-7 異方性媒質中のフォトニックバンド構造
• 29p-YM-5 フォトニックバンドにおける光学非線形媒質の効果
• 21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 29a-YQ-2 アルカリハライド超格子の電子構造と光学的性質
• Self-Organized Critical Density Waves of Granular Material Flowing through a Pipe
• Morphological Diversity in the Crystal Growth of Potassium Dichromate in Gelatin Gel
• Cluster-Cluster Aggregation of Calcium Carbonate Colloid Particles at the Air/Water Interface
• 半導体表面からの光学応答スペクトル計算
• 第一原理計算による半導体ヘテロ構造の物理性設計 -その現状と限界-
• 12p-DD-2 擬波動関数を用いた光学遷移行列要素
• Valence Band Offset and Electronic Structures of Zinc-Compound Strained Superlattices
• 29p-X-4 異種族半導体接合系の電子状態 III
• 28p-X-5 半導体歪超格子の電子状態
• 27a-C-8 異種族半導体接合系の電子状態II
• 24p-M-3 異種族半導体接合系の電子状態
• 1p-TB-8 超薄膜半導体超格子の電子状態と光学スペクトル
• 30a-Z-4 亜鉛化合物半導体歪超格子の電子構造とオフセット
• M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1988, xii+264p., 23.5×16 cm, 9,241円 (Springer Series in Solid-State Sciences, 75) [大学院向教科書, 専門書]
• 6a-A2-15 半導体界面の誘電的性質II
• 18.半導体超格子の電子構造(東京大学理学部物理学教室,修士論文題目・アブストラクト(1983年度))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク