26p-PSA-57 高圧下におけるK_2CuF_4の電子構造の第一原理計算
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
25aYT-9 カゴメ格子の電気伝導における外場依存性(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
27pYF-5 非平衡グリーン関数を用いたカゴメ格子の電気伝導計算(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
-
21pPSB-17 カゴメ格子の電気伝導特性
-
19pYJ-7 カゴメ型量子ドット列における励起子の数値計算
-
30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
-
29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
-
金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
-
金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
-
23pPSB-60 ナノコンタクト系を流れる過渡電流におけるナノ分子の複数サイト効果(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20aRC-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果II(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23pXL-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
13a-DE-1 短周期超格子(GaP)_n(AlP)_nの電子構造とその光学特性
-
25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
-
20aXH-4 ポジトロニウム-キセノン衝突におけるスピン転換断面積の測定(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
20aXC-1 ポジトロニウム・キセノン衝突におけるスピン軌道相互作用のエネルギー依存(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
6a-E-3 秩序空孔化合物半導体の格子振動
-
28p-S-8 超周期構造を持つGa_2Se_3高温相の電子状態
-
秩序空孔(Orthorhombic, Monoclinic)Ga_2Se_3のボンド・電子状態・光学的性質
-
半導体表面におけるタンパク質の機能制御
-
3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
-
2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)
-
30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
-
29pPSB-22 表面吸着分子の量子摩擦と近藤効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aRJ-10 金属表面に吸着した分子振動子の量子摩擦 : 電子相関の効果(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
24pYF-9 InN膜中の刃状転位欠陥の電子構造 : 理論的考察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
20aPS-20 水素吸着TiO_2(110)荷電表面における酸素の結合エネルギー変化 : 第一原理計算に基づく検証(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19pXB-7 InN中における欠陥と歪みの関係(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aXD-1 荷電表面に対する第一原理計算法の開発 : 電場誘起ガウシアンシート法(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aYF-1 荷電表面スラブ系の第一原理計算エネルギー補正(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
27aWP-8 ルチルTiO_2(110)表面酸素脱離における正孔の効果に関する第一原理計算(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
-
17pTF-8 ZnSe/GaAsヘテロ界面における欠陥発生のモンテカルロ・シミュレーション
-
金属/絶縁体界面の統一理論
-
金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
-
17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
-
28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
-
25pWD-4 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察
-
25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
-
27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
-
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
-
23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
Ab-initio Calculation Method for Electronic Structures of Charged Surfaces Using Repeated Slab and Density-Variable Charge Sheets(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
-
反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
-
反射率差分光による表面/界面の評価と制御--Si酸化・InAsぬれ層の最近のトピック
-
解説 反射率差分光は何を見ているのか?-表面・界面構造を理解するための実験と理論
-
Electronic Structures and Etching Processes of Chlorinated Si(111) Surfaces
-
Raman Spectra Calculation of Ordered-Vacancy Ga_2Se_3 Compounds; Origin of Anisotropy : Condensed Matter: Structure, etc.
-
光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
-
24pSB-5 層状構造化合物半導体In_2Se_3におけるラマンスペクトルの数値計算
-
ZnSe/GaAsヘテロエピタキシーにおける欠陥生成のシミュレーション : 成長界面III
-
22pT-14 Sio_2/Si界面の光学異方性
-
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
Spin-Wave Dynamics of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
-
Spectral Dimension of Percolating Heisenberg Antiferromagnets
-
Localization Exponents of Waves in Percolation Systems
-
超薄膜半導体超格子の電子構造 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
-
2p-KP-2 超格子の電子構造
-
28a-S-5 半導体表面からの光学応答スペクトル計算 II
-
3p-J-9 GaAs表面・界面の光学応答スペクトルの第一原理計算
-
31p-Y-7 半導体の2光子吸収スペクトルにおける異方性のエネルギー分散
-
30p-N-6 非線形光学感受率の設計
-
28a-G-2 非縮退光による半導体光学スペクトル
-
12p-DD-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算III
-
30p-N-16 ウルツァイト/ジンクブレンド界面のオフセットとその応用
-
30p-N-1 非線形感受率の第一原理からの理論計算II
-
26a-ZE-9 非線形感受率X^の第一原理からの理論計算
-
29p-X-3 異結晶型半導体超格子の電子構造
-
27a-C-7 半導体超格子の電子状態に及ぼす界面の原子種・形状の効果
-
ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
-
ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
23aK-11 秩序空孔化合物半導体におけるラマンスペクトルの数値計算
-
27aW-6 GaAs(001)表面上のInAsぬれ層の電子構造
-
24pZ-11 ZnSe/GaAsヘテロバレント界面層の成長シミュレーション
-
Influence of Collagen Macromolecular Arrangement on the Potassium Dichromate Spiral Crystal Growth
-
26p-PSA-57 高圧下におけるK_2CuF_4の電子構造の第一原理計算
-
Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs(001) As- and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
-
6p-P-12 GaAs表面へのZnSeヘテロエピ成長のシミュレーション
-
III-V/II-VI半導体界面の誘電応答異方性スペクトルの理論計算
-
Reversible Cluster-Cluster Aggregation and Colloidal Gels
-
29a-W-7 異方性媒質中のフォトニックバンド構造
-
29p-YM-5 フォトニックバンドにおける光学非線形媒質の効果
-
The Forced Oscillator Method and the Kubo Formula
-
21aTM-8 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
29a-YQ-2 アルカリハライド超格子の電子構造と光学的性質
-
Self-Organized Critical Density Waves of Granular Material Flowing through a Pipe
-
Microscopic Buckling and Low-Energy Dynamics in Glasses
-
Morphological Diversity in the Crystal Growth of Potassium Dichromate in Gelatin Gel
-
Cluster-Cluster Aggregation of Calcium Carbonate Colloid Particles at the Air/Water Interface
-
半導体表面からの光学応答スペクトル計算
-
第一原理計算による半導体ヘテロ構造の物理性設計 -その現状と限界-
-
12p-DD-2 擬波動関数を用いた光学遷移行列要素
-
Valence Band Offset and Electronic Structures of Zinc-Compound Strained Superlattices
-
29p-X-4 異種族半導体接合系の電子状態 III
-
28p-X-5 半導体歪超格子の電子状態
-
27a-C-8 異種族半導体接合系の電子状態II
-
M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1988, xii+264p., 23.5×16 cm, 9,241円 (Springer Series in Solid-State Sciences, 75) [大学院向教科書, 専門書]
-
C-10-5 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープのバンド構造の解析(C-10.電子デバイス)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク