29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 武田 京三郎

  早大理工

• 武田 京三郎

  早大先進理工

• 小田 将人

  千葉大理

• 中山 隆史

  千葉大理

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 小田 将人

  和歌山大学

• 中山 隆史

  干葉大理

関連論文

• 25aYT-9 カゴメ格子の電気伝導における外場依存性(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pYF-5 非平衡グリーン関数を用いたカゴメ格子の電気伝導計算(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 21pPSB-17 カゴメ格子の電気伝導特性
• 19pYJ-7 カゴメ型量子ドット列における励起子の数値計算
• 29a-ZF-9 BC5-7員環クラスターの電子構造と分子構造
• 29a-ZF-8 ホウ素-炭酸系層状構造における高スピン状態
• 27a-YK-10 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造II
• 6a-A-11 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造
• 6a-A-10 (B_3C_3)_n6員環クラスターの電子構造と分子構造
• 31p-R-9 BC員環クラスターの電子構造
• 30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• タンパク質ナノチューブの第一原理電子論 (特集 カーボンナノチューブ--期待される材料開発)
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• 25pPSB-7 円-リング複合型量子ドットのFloquet状態(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSB-6 量子ドットに閉じ込められた電子-電子,電子-正孔対の第一原理動力学(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aPS-5 任意形状の2次元量子ドットに於ける1電子波動関数の厳密解(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-4 2次元量子閉じ込め場における二電子基底状態とその電子相関(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aPS-129 三角形量子井戸固有状態の厳密解法(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pTH-9 円-リング複合型量子ドットにおける電子状態とその時間発展(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTG-7 非対称形状をもつ量子ドットに於ける共鳴トンネリングの透過過程(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-6 荷電された量子ドットに入射した電子波束の光支援トンネリング(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pRC-8 荷電された量子リングでの電子波束の共鳴トンネル(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-9 量子リング内へ入射された1電子および2電子波束の動的過程(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-8 二次元閉じこめ場内における電子励起および光励起支援にともなう電子の時間発展(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-9 2 次元放物型量子ドット内電子の振動外場に対する動的応答(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 12pPSA-6 量子細線内電子波束の時間発展と電気伝導(領域 4)
• 12pPSA-5 二次元ポテンシャル場に束縛された電子の変調外場に対する動的応答過程(領域 4)
• 27pYF-2 静電量子レンズによる電子波束の時間発展(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
• 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
• 27aTB-3 磁場中の三次元量子ドットにおける電子状態計算
• 第一原理に基づくDNA鎖中塩基対開裂状態の動的過程
• 27p-Q-1 DNA塩基対の開裂ソリトンII
• 2a-YB-6 DNA塩基対の開裂ソリトン
• 7a-P-1 RNA塩基三量体の電子構造の理論的研究
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 23pPSB-60 ナノコンタクト系を流れる過渡電流におけるナノ分子の複数サイト効果(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果II(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-1 ナノコンタクト系を流れる過渡電流の緩和過程における電極効果(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13a-DE-1 短周期超格子(GaP)_n(AlP)_nの電子構造とその光学特性
• 25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
• 20aXH-4 ポジトロニウム-キセノン衝突におけるスピン転換断面積の測定(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 20aXC-1 ポジトロニウム・キセノン衝突におけるスピン軌道相互作用のエネルギー依存(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 6a-E-3 秩序空孔化合物半導体の格子振動
• 28p-S-8 超周期構造を持つGa_2Se_3高温相の電子状態
• 秩序空孔(Orthorhombic, Monoclinic)Ga_2Se_3のボンド・電子状態・光学的性質
• 半導体表面におけるタンパク質の機能制御
• 3P327 半導体からの電荷キャリア注入によるタンパク質の機能制御(バイオエンジニアリング))
• 2P318 半導体表面におけるタンパク質の触媒活性制御(バイオエンジニアリング)
• 30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 29pPSB-22 表面吸着分子の量子摩擦と近藤効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRJ-10 金属表面に吸着した分子振動子の量子摩擦 : 電子相関の効果(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-20 水素吸着TiO_2(110)荷電表面における酸素の結合エネルギー変化 : 第一原理計算に基づく検証(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pXB-7 InN中における欠陥と歪みの関係(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pPSB-1 InGaNエピタキシャル成長における表面歪みと結晶多形の関係性の解明(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aXD-1 荷電表面に対する第一原理計算法の開発 : 電場誘起ガウシアンシート法(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSB-75 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYF-1 荷電表面スラブ系の第一原理計算エネルギー補正(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aWP-8 ルチルTiO_2(110)表面酸素脱離における正孔の効果に関する第一原理計算(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 17pTF-8 ZnSe/GaAsヘテロ界面における欠陥発生のモンテカルロ・シミュレーション
• 25pWD-4 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察
• 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
• 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
• 23pTE-5 孤立系に対する非局所交換相関項の第一原理的計算手法の開発(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24pSB-5 層状構造化合物半導体In_2Se_3におけるラマンスペクトルの数値計算
• 22pT-14 Sio_2/Si界面の光学異方性
• 超薄膜半導体超格子の電子構造 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
• 2p-KP-2 超格子の電子構造
• 3p-J-9 GaAs表面・界面の光学応答スペクトルの第一原理計算
• 31p-Y-7 半導体の2光子吸収スペクトルにおける異方性のエネルギー分散
• 27a-C-7 半導体超格子の電子状態に及ぼす界面の原子種・形状の効果
• 23aK-11 秩序空孔化合物半導体におけるラマンスペクトルの数値計算
• 27aW-6 GaAs(001)表面上のInAsぬれ層の電子構造
• 24pZ-11 ZnSe/GaAsヘテロバレント界面層の成長シミュレーション
• 26p-PSA-57 高圧下におけるK_2CuF_4の電子構造の第一原理計算
• 6p-P-12 GaAs表面へのZnSeヘテロエピ成長のシミュレーション
• 29a-W-7 異方性媒質中のフォトニックバンド構造
• 29p-YM-5 フォトニックバンドにおける光学非線形媒質の効果
• 半導体表面からの光学応答スペクトル計算
• 26pSA-15 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌道相互作用(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pAA-13 外部電場下におけるペプチドナノチューブの動的挙動(24pAA 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 20pPSA-10 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌動相互作用II(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-9 擬二次元量子場に閉じ込められた電子系におけるスピン軌道相互作用(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1988, xii+264p., 23.5×16 cm, 9,241円 (Springer Series in Solid-State Sciences, 75) [大学院向教科書, 専門書]
• 24aXP-9 球状量子ドットにおけるフントの第二法則(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24pSA-13 π spln holeによるπ電子スピン鎖幾何構造と基底スピン状態(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク