30aYF-11 螺旋対称性を持つ空孔半導体In_2Se_3の電子物性に関する第一原理計算(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 藤田 和志

  千葉大・理・物理

• 中山 隆史

  千葉大・理・物理

• 中山 隆史

  千葉大理

• 中山 隆史

  千葉大院理学研究科

• 中山 隆史

  千葉大・理

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