29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-03-17

著者

• 武田 京三郎

  早大理工

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 白石 賢二

  NTT基礎研

• 深作 克彦

  早大理工

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

関連論文

• 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 先端追跡
• 29a-ZF-9 BC5-7員環クラスターの電子構造と分子構造
• 29a-ZF-8 ホウ素-炭酸系層状構造における高スピン状態
• 27a-YK-10 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造II
• 6a-A-11 (B_4C_4)n5員環クラスターの電子構造と分子構造
• 6a-A-10 (B_3C_3)_n6員環クラスターの電子構造と分子構造
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
• シリコン量子平面の電子構造と物理
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
• 19aTA-6 荷電された量子ドットに入射した電子波束の光支援トンネリング(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pRC-8 荷電された量子リングでの電子波束の共鳴トンネル(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-9 量子リング内へ入射された1電子および2電子波束の動的過程(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-8 二次元閉じこめ場内における電子励起および光励起支援にともなう電子の時間発展(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-9 2 次元放物型量子ドット内電子の振動外場に対する動的応答(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 12pPSA-6 量子細線内電子波束の時間発展と電気伝導(領域 4)
• 12pPSA-5 二次元ポテンシャル場に束縛された電子の変調外場に対する動的応答過程(領域 4)
• 27pYF-2 静電量子レンズによる電子波束の時間発展(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造
• 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
• 27p-Q-1 DNA塩基対の開裂ソリトンII
• 2a-YB-6 DNA塩基対の開裂ソリトン
• 7a-P-1 RNA塩基三量体の電子構造の理論的研究
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
• 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
• 27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
• 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
• 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
• Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
• GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
• 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
• 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
• 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
• 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
• 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
• 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
• 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
• 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 先端追跡
• 23pZN-9 まとめ : 原子レベルの酸化機構とマクロスコピックな酸化現象との関係
• シリコン表面プロセスにおける水素の役割と挙動
• 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
• 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
• 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
• シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
• 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
• 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
• GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
• 31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
• 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
• 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
• 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
• 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
• 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
• 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
• ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
• 26pSA-15 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌道相互作用(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ポリシランにおける水素原子の挙動
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算
• 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
• 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
• 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
• 24pAA-13 外部電場下におけるペプチドナノチューブの動的挙動(24pAA 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 20pPSA-10 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌動相互作用II(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-9 擬二次元量子場に閉じ込められた電子系におけるスピン軌道相互作用(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXP-9 球状量子ドットにおけるフントの第二法則(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
• 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))
• 29a-G-1 GaAs中In単原子層挿入系の電子状態(29aG 半導体(超格子))
• 24pSA-13 π spln holeによるπ電子スピン鎖幾何構造と基底スピン状態(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク