武田 京三郎 | 早稲田大学理工学部物質開発工学科

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概要

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関連著者

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻

• 白石 賢二

  NTT基礎研

• 武田 京三郎

  早大理工

• 小山 紀久

  物材機構

• 太田 英二

  慶大理工

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶大 理工

• 武田 京三郎

  Ntt基礎研

• 大野 隆央

  物材機構

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 小山 紀久

  慶大理工

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部理工学科

• 岡島 康

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 小川 哲生

  大阪市立大学工学部応用物理学科

• 田口 明仁

  武蔵野通研

• 武田 京三郎

  早稲田大学 理工学術院

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 大野 隆央

  金材技研

• 坂田 亮

  慶大理工

• 深作 克彦

  早大理工

• 小川 哲生

  Ntt基礎研

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 武田 京三郎

  慶大理工

• 田口 明仁

  慶大理工

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所究所

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 金光 義彦

  筑波大物理

• 滝 裕之

  慶大理工

• 作井 康司

  慶応大学理工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 武田 京三郎

  慶応大学理工学部

• 太田 英二

  慶応大学理工学部

• 坂田 亮

  慶応大学理工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学工学研究科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 三浦 登

  東大物性研

• 大木 義路

  早稲田大学

• 影島 博之

  Ntt Lsi研

• 武田 京三郎

  武蔵野通研

• 小山 紀久

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 白石 賢二

  NTT 物性科学基礎研究所

• 山口 浩司

  NTT 物性科学基礎研究所

• 大野 隆央

  物質 ・ 材料研究機構

• 小山 紀久

  金属材料技術研究所究所

• 宮城島 規

  早稲田大学

• 小山 紀久

  金材技研

• 岡島 康

  早大理工

• 伊藤 智徳

  NTTフォトニクス研

• 倉持 尚叔

  早大理工

• 武田 京三郎

  金材技研

• 小山 紀久

  慶大院理工

• 太田 英二

  慶大院理工

• 田代 雅典

  早大理工

• 本山 英志

  早大理工

• 遠藤 利洋

  早大理工

• 高野 敏明

  慶大理工

• 白石 賢二

  基礎研

• 武田 京三郎

  基礎研

• 白石 賢二

  NTT 基礎研究所

• 武田 京三郎

  NTT 基礎研究所

• 金光 義彦

  筑波大学物理学系

• 白石 賢二

  基礎研究所

• 中ノ 勇人

  NTT通研

• 武田 京三郎

  NTT通研

• 大野 隆央

  NTT通研

• 栗原 進

  NTT通研

• 金光 義彦

  筑波大 物理

• 舛本 泰章

  筑波大 物理

• 坂田 亮

  慶大工

• 坂田 亮

  慶大・工

• 松本 信雄

  Ntt基礎研究所

• 小野寺 清光

  慶大理工

• 栗原 進

  Ntt電気通信研究所

• 武田 京三郎

  慶大工

• 作井 康司

  慶大工

• 太田 英二

  慶大工

• 布施 則一

  電力中央研究所

• 前田 剛享

  慶大・工

• 武田 京三郎

  慶大・工

• 太田 英二

  慶大・工

• 田口 明仁

  慶応大学理工学部

• 大木 義路

  早稲田大学 理工学術院

• 荒井 友之

  早稲田大学 理工学術院

• 細淵 柾志

  早稲田大学 理工学術院

• 布施 則一

  電力中央研究所 電力技術研究所

• 松本 信雄

  NTT基礎研

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著作論文

• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
• 27p-T-11 Ge/Si(001)ヘテロ界面に生じるミスフィット転位についての第一原理計算
• 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
• 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
• 6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
• 7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
• 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
• 29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
• 29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
• ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
• 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
• 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
• 3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
• シリコン量子平面の電子構造と物理
• 30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
• シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
• 27p-PS-32 銅酸化物超伝導体における酸素配置と電子構造の関係
• 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
• 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
• 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
• 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
• 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
• 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
• 14a-E-8 パルス強磁場におけるP型Teの磁気フォノン共鳴
• 30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
• 30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
• 30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
• 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
• 1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
• ポリオレフィンの電子局在準位の光学的評価と計算化学的検証
• ポリシランにおける水素原子の挙動
• 28a-G-11 ポリシランにおける構造欠陥とその電子構造I(理論)
• 30a-H-12 ポリスタンナンの電子構造
• 26p-M-4 ポリシラン中の水素原子の断熱ポテンシャル面の計算

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