田口 明仁 | 武蔵野通研

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• 田口 明仁

  武蔵野通研

• 坂田 亮

  慶大理工

• 武田 京三郎

  慶大理工

• 田口 明仁

  慶大理工

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 太田 英二

  慶大理工

• 武田 京三郎

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  慶応大学理工学部

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  慶応大学理工学部

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著作論文

• 1a-B-9 GaAs中の正孔の散乱機構と移動度
• 2p-F-4 Ge/Si合金系の価電子帯構造と正孔の移動度
• 1a-Pβ-36 非極性半導体における正孔の移動度
• 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
• 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
• 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
• 3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度
• 1p-D2-10 GaAs中正孔のイオン化不純物散乱のphase shift(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)

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