1p-D2-10 GaAs中正孔のイオン化不純物散乱のphase shift(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 14a-E-10 III-V族混晶半導体の物質定数
- 1a-B-9 GaAs中の正孔の散乱機構と移動度
- 1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
- 2p-F-4 Ge/Si合金系の価電子帯構造と正孔の移動度
- 1a-Pβ-36 非極性半導体における正孔の移動度
- 30a-S-8 非極性半導体の正孔の状態密度と有効質量比
- 30a-S-7 非極性半導体の正孔の散乱と移動度
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 28a-PS-24 Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象II
- 6a-PS-116 カドミウムフェライト超微粒子の磁性
- 共沈法Cdフェライトの磁性II
- 29a-PS-1 共沈法Cdフェライトの磁性 I
- 13p-PS-29 NbS_3の構造と相転移
- AuFe超微粒子の磁性III
- 28a-PS-64 磁性微粒子LB膜の磁性III
- 14a-PS-11 磁性微粒子LB膜の磁性II
- 31p-PSB-51 磁性微粒子LB膜の磁性
- 31a-H-8 強磁性微粒子分散高分子の磁気的性質
- 2Ba13 低pHストレスおよび高塩ストレス状態におけるモヤシマメ幼根の膨圧低下に及ぼす外液Ca^の保護作用
- 31a-A-16 (Cr_Fe_x)Geの磁性(II)
- 31a-A-15 (Cr_Mn_x)Geの磁気的及び電気的性質
- 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
- 3a-A-13 強磁場におけるエピタキシャルn-InPの磁気抵抗
- 1a-KC-7 パルス強磁場におけるn型InPの横磁気フォノン共鳴
- 29a-PS-70 NiMn薄膜の成膜条件とそのスピングラス特性
- 2p-PSB-43 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性 II
- 30p-PSA-14 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性
- 30p-PSA-12 スピングラスNiMnの非線型磁化率II
- 13p-PSA-28 スピングラスNiMnの非線型磁化率
- PdおよびPdFe超微粒子の表面磁性
- 29a-PS-71 AuFe超微粒子の磁性II
- 28a-PS-65 AuFe超微粒子の磁性
- 15a-PS-48 Pd超微粒子の偏極中性子散乱II
- 3Ea11 モヤシマメ幼根根端細胞膜での電子伝達系
- 3Ea08 モヤシマメプロトプラストの電子伝達系に与えるCa^の効果
- 1Ep-3 マメ科植物プロトプラストの表面電荷密度測定
- 2Ea-3 モヤシマメ幼根の膨圧に対する浸透圧ストレスの影響
- 2Ea-2 モヤシマメ幼植物の伸長生長に及ぼす外部pHの影響
- 3p-S-1 ガス中蒸発法により作成したPd超微粒子の格子振動
- 29p-PS-20 非晶質Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
- Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
- 30p-PSA-17 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性III
- 13p-PSA-33 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性II
- 2Bp09 塩ストレス下におけるモヤシマメ幼根の伸長生長と細胞内 K^+ 濃度に及ぼす外液 Ca^ 濃度の影響
- Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象
- 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱II
- 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質II
- 29p-PSB-39 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁性に及ぼす光照射の影響III
- 29a-PS-6 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質
- 29a-PS-5 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱
- 3p-PSA-18 金属スピングラスNiMnの磁気光学効果
- 2Ep-5 In vivo ^P-NMRによるコクズ幼根およびそのプロトプラストのリン酸代謝の研究
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 27a-PS-21 リエントラント・スピングラスCr_Mn_xGeの交流磁化率
- 29p-PS-2 リエントラントスピングラスCr_Mn_xFe_yGeの磁化過程
- 29p-PS-1 Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 5a-L-12 リエントラントスピングラスCr_Mn_xGeの輸送現象
- 27a-PS-20 リエントラントスピングラスCr_Mn_xGeの電気抵抗及び磁気抵抗
- 2Bp10 モヤシマメ幼根の細胞内 pH,ATP レベルにおよばず低温処理の影響 ^P-NMRを用いた研究
- 3p-PSA-14 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁化に及ぼす光照射の影響 II
- 30p-PSA-23 希薄磁性半導体Cd_MnxTeの磁下に及ぼす光照射の影響
- 30p-PSA-16 Cd_Mn_XFe_YTeの磁気的性質II
- 13p-PSA-31 Cd_Mn_xFe_yTeの磁気的性質
- 31p-PSA-49 Mn高濃度Cd_Mn_xTeにおけるスピン凍結II
- 31p-PSA-48 スピングラスCd_Mn_xTeにおける経時効果 : 磁気光学効果および磁気測定による
- 26a-PS-39 Mn高濃度Cd_Mn_xTeにおけるスピン凍結
- 30a-ZJ-3 スピングラスCd_Mn_xTeの経時効果
- 29p-PS-54 スピングラスCd_Mn_xTeの磁場効果
- 28p-ZJ-5 交流磁化率測定によるスピングラスCd_Mn_Teの磁気異方性の評価II
- 27p-G-10 交流磁化率測定によるスピングラスCd_Mn_Teの磁気異方性の評価
- 30a-ZH-8 H^+-ATPaseの再構成膜の相転移と活性についての研究
- 31p-PSA-51 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性
- 30a-PS-32 Pd超微粒子の磁気測定
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 1p-H-7 スピングラスNiMn-Ni2層薄膜の電気抵抗および磁気抵抗
- 1p-H-6 スピングラスNia_Mn_の誘導磁気異方性
- 5a-PS-4 スピングラスNiMn合金薄膜の電気抵抗及び磁気抵抗
- 6a-S3-4 非晶質Cr_Fe_xGe合金の構造と磁性
- 最大エントロピ-法による核磁気共鳴スペクトルの推定
- 2a-KG-7 Cr_Mn_xGeの磁性II
- 31a-M1-8 Cr_Mn_xGeのスピングラス発生機構(磁性(スピングラス))
- 27p-PS-15 Cr_Mn_xGeの交流磁化率II(磁性ポスターセッション)
- 31p-M1-4 リエントラント・スピングラスNi-Mn合金の熱電能と電気抵抗(磁性(スピングラス,低次元))
- 31p-PS-23 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 2p-D5-9 強磁性に近い金属間化合物CrGeに対するMn, Feの置換効果(2p D5 磁性(遍歴磁性体))
- 31p-PS-24 Cr_Mn_xFe_yGeのスピングラス発生機構II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 31a-D2-9 非晶質Cr_Mnx Geの磁性(31a D2 磁性(アモルファス合金))
- 31a-D3-9 Cr_MnxGeの磁性III(31a D3 磁性(スピングラス))
- 31p-PS-25 非晶質合金Cr_xGe_の構造と磁性(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 29a-F-9 電気抵抗および磁気抵抗から見た多結晶Cr_Mn_xGeの性質(29a F 磁性(スピングラス・ランダム))
- 30a-PS-24 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性 III(磁性ポスターセッション)
- 1p-D2-10 GaAs中正孔のイオン化不純物散乱のphase shift(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 1p-UA-5 非晶質Cr_xG_合金の構造と電気抵抗